长鑫科技拟上市：8名高管身家过亿，披露DRAM技术升级与员工股权激励计划

7月15日下午，存储厂商长鑫科技召开网上投资者交流会。董事长朱一明介绍，公司已通过跳代研发策略完成从第一代到第四代工艺平台的量产，实现DDR5、LPDDR5/5X等产品的覆盖与迭代。登陆资本市场被视为新起点，亦意味着承担更大责任。

朱一明表示，募集资金将用于提升技术研发能力与产业化水平，增强对市场需求的保障能力，并发挥龙头企业带动作用，促进产业链协同发展。公司主要核心技术已达国际先进水平，业务布局立足国内市场并逐步拓展海外，加速扩大中高端应用市场占有率。

针对存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目，朱一明说明该项目将在子公司实施，旨在实现DRAM生产线向中高端工艺切换，降低生产成本，并同步导入本土及新型设备、材料、零部件等合作资源。

面对行业周期性波动，公司拟通过技术迭代、产能优化和成本管控提升抗周期能力；针对海外大厂扩产带来的供给过剩风险，朱一明指出，当前公司产能远低于国内庞大需求，随着募投项目推进，工艺升级将助力单位成本下降、竞争力与盈利能力提升。

朱一明提示，人工智能产业尚处基础设施集中建设期，商业化应用仍在拓展，若AI规模化落地不及预期或头部云厂商资本开支放缓，可能影响DRAM未来需求增长。

副总裁、董秘袁园表示，消费电子仍是DRAM传统基本盘，预计2026年起该领域需求将保持稳健增长；公司后续将持续受益于全球算力需求增长，盈利能力有望改善。朱一明补充称，目前应用于AI算力服务器的DRAM产品收入占比仍较低，但相关收入及占比有望持续上升。

针对投资者关于HBM（高带宽内存）进展的提问，朱一明未作正面回应，仅表示相关信息以招股说明书及后续公告为准。

袁园披露，朱一明为激发员工科技创新与创业热情，自愿将其持有的合肥集鑫肆拾壹号企业管理合伙企业50%合伙份额（对应公司当前股本767,920,918股）未来分配予员工用于股权激励。该激励不新增股份发行，不稀释上市后新老股东权益。

关于股东回报，袁园明确公司已制定三年分红回报规划，在符合分红条件前提下，原则上每年度进行一次现金分红。